Las nuevas técnicas de interconexión y apilamiento de transistores deberían permitir aumentar aún más la densidad y la precisión de los procesadores.
Hace cincuenta años, en 1971, Intel comercializó su primer microprocesador, el 4004, que constaba de 2.250 transistores. El 8086, el primer procesador de 16 bits de la compañía americana, tenía 29.000 transistores, luego pasamos a 275.000 en el 80386 e incluso a 1.180.235 transistores en el 80486 antes de la revolución del Pentium y sus 3.100.000 transistores. Son cifras impresionantes para los años 70, 80 y 90, pero parecen muy míseras hoy en día cuando Intel plantea la cifra de 3.200.000.000 en el Core i7 Broadwell de 2016. En la actualidad, la empresa estadounidense ya no comunica estas cifras, pero sigue trabajando para "seguir encajando" más.
Con motivo del 67e edición del IDEM o Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicosintel presentó varios avances para mostrarnos lo que prevé para el futuro de sus procesadores. En el vídeo de arriba, Marko Radosavljevic, un ingeniero senior de Intel, entra en detalles sobre las diferentes técnicas de apilamiento asociadas a varios sustratos que utiliza la empresa estadounidense para multiplicar la densidad en sus chips. En particular, el CMOS 3D, que aumenta el apilamiento entre un 30 y un 50% en comparación con las técnicas actuales, debería permitir agrupar cada vez más transistores por milímetro cuadrado.
Actualmente, Intel utiliza el proceso de grabado Intel 7 en sus procesadores de la generación Alder Lake. Más adelante, tiene previsto cambiar a Intel 4 e Intel 3. Estos cambios serán posibles gracias al uso de envases Foveros Direct en lugar de Foveros. El objetivo es multiplicar las interconexiones para, por supuesto, maximizar los intercambios. Intel ya ha hablado de estas mejoras, sobre todo en la conferenciaIntel Accelerated del pasado mes de julio.Foveros Direct utiliza conexiones "cobre-cobre" que se han miniaturizado en comparación con Foveros, de modo que el número de interconexiones en un espacio determinado es drásticamente mayor, y más interconexiones significan más intercambios entre las distintas partes de los chiplets. Intel también señala que Foveros Direct también permite una mayor modularidad en el diseño. Todo esto se resume en tres palabras:Hybrid Bonding Interconnect, o HBI.
Por último, en este 67e edición de IDEM, Intel también habló de sustituir los llamados transistores FinFET (transistor de efecto de campo o transistor de efecto de campo con aletas). Como Samsung y TSMC también podrían estar considerando, Intel cambiará a los FET GAA (puerta-alrededor), una técnica que pretende modificar la estructura del transistor para poner más canales. En este caso, el objetivo es aumentar la precisión y, sobre todo, la estabilidad de los transistores, un tema esencial cuando se afina el proceso de grabado.La introducción de los transistores GAA FET en Intel no se espera antes de 2024 y el uso del proceso Intel 20A.
