Könnte SK Hynix von dem anderen nationalen NAND-Flash-Speicherriesen überholt werden?
Vor einigen Tagen berichteten wir über die Ankündigung, die SK Hynix auf dem Flash Memory Summit 2023 in Santa Clara, Kalifornien, gemacht hatte. Das südkoreanische Unternehmen SK Hynix nutzte die Veranstaltung, um seine Ankündigung vom März zu revidieren, als es behauptete, seine ersten NAND-Chips mit 321 Schichten hergestellt zu haben. In Kalifornien ging es jedoch nicht mehr nur darum, die neue Technologie vorzustellen, sondern SK Hynix demonstrierte sein Know-how und einen echten 321-Layer-NAND-Chip und bestätigte, dass damit eine " 59-prozentige Produktivitätssteigerung " erreicht werden könne.
Auf dem Markt für NAND - Flash-Speicher, der vor allem in Smartphones oder SSDs verwendet wird - ist SK Hynix jedoch nicht allein. Unternehmen wie Kioxia, Micron oder Western Digital haben ebenfalls ein Wörtchen mitzureden, aber es war schließlich ein Landsmann, der als erster auf die Ankündigung von SK Hynix reagierte. Samsung ließ nicht lange auf sich warten und lüftete den Schleier über seinen eigenen Plänen in diesem Bereich. Nicht Samsung, sondern die Zeitung Seoul Economic Daily , die von TechPowerUp zitiert wurde, berichtete über die Pläne des südkoreanischen Konzerns.
Derzeit vermarktet Samsung NAND mit 236 Schichten, was etwas schlechter ist als das NAND von SK Hynix (238 Schichten). Bei der nächsten Generation dürfte Samsung wieder schlechter abschneiden als sein Landsmann, da die Seoul Economic Daily von 300 Lagen NAND gegenüber 321 Lagen bei SK Hynix spricht. Diese Diskrepanz könnte natürlich für Samsung von Nachteil sein, aber Samsung hat einen großen Vorteil: Samsung soll tatsächlich in den Startlöchern stehen, um mit der Massenproduktion seiner Chips zu beginnen. Eine solche Produktion soll bereits im nächsten Jahr, vielleicht sogar noch in der ersten Jahreshälfte, erfolgen. Sollte es Samsung gelingen, SK Hynix die Stirn zu bieten, würde das Unternehmen natürlich punkten. Wie man in solchen Fällen sagt: "Affaire à suivre".
