Utilisée dans les smarpthones autant que dans les clés USB ou les SSD, la NAND gagne en compléxité.
Imaginée par Toshiba en 1989, la NAND est en quelque sorte une réponse meilleure marché à la mémoire flash dite NOR, à l’origine plus performante, mais surtout plus onéreuse donc et capable d’une densité plus faible. De densité, c’est justement ce dont il est question aujourd’hui avec la présentation faite à l’occasion du Flash Memory Summit 2023 de Santa Clara en Californie. La société sud-coréenne SK Hynix est effectivement revenu sur son annonce du mois de mars lorsqu’elle prétendait avoir produit ses premières puces de NAND à 321 couches.
© SK Hynix
Aujourd’hui, il n’est donc plus question de promesses ou d’effet d’annonce, mais d’une présentation en bonne et due forme de ladite NAND. Autrefois, la NAND était une mémoire flash que l’on trouvait en 32 couches par exemple. Rapidement, nous sommes passés à 64 puis 96 et même 112 couches avant que les puces de 176 couches ne s’imposent pendant une période relativement longue. Depuis, c’est au fabricant qui parviendra à aller toujours plus loin et toujours plus rapidement avec Micron, par exemple, qui propose actuellement de la NAND en 232 couches sur ses puces de mémoire flash pour SSD ou pour smartphone. SK Hynix est donc parvenu à placer le curseur encore un peu plus haut en produisant ses puces en 321 couches. La société a fait sa présentation avec de la mémoire 1 Tb (128 Go) en 321 couches qu’elle a « mis en face » de puces de génération précédente, de la mémoire 512 Gb (64 Go) en 238 couches. S’il est toujours question de mémoire TLC pour triple level cell ou cellule triple niveau, SK Hynix précise que cette technologie permet « une amélioration de 59 % de la productivité ».
Alors que les composants de NAND – comme les autres semi-conducteurs – sont conçus à partir de galette baptisées wafers, augmenter ainsi le nombre de couches permet évidemment de faire progresser la densité de ces composants de stockage pour en réduire les coûts de production. Des coûts d’autant plus critiques que les besoins en capacité de stockage ont explosé ces derniers mois sur nos smartphones et nos SSD. Plus important encore, le monde de l’intelligence artificielle se montre particulièrement gourmand en capacité NAND. Jungdal Choi, responsable du développement NAND chez SK Hynix indique d’ailleurs : « avec l’introduction en temps opportun de la NAND haute performance et haute capacité, nous nous efforcerons de répondre aux exigences de l’ère de l’IA et de continuer à mener l’innovation ».
