Utilizada tanto en smartphones como en memorias USB y SSD, la NAND es cada vez más compleja.
Desarrollada por Toshiba en 1989, la NAND es una alternativa más barata a la memoria flash NOR, que en un principio era más eficiente, pero más cara y, por tanto, capaz de una densidad menor. De densidad es precisamente de lo que hablamos hoy con la presentación realizada en la Cumbre de la Memoria Flash 2023 en Santa Clara, California. La surcoreana SK Hynix dio marcha atrás en su anuncio de marzo de que había producido sus primeros chips NAND de 321 capas.
SK Hynix
Así que hoy ya no se trata de promesas o anuncios, sino de una presentación adecuada de dicha NAND. En el pasado, la NAND era una memoria flash disponible en 32 capas, por ejemplo. Rápidamente pasamos a 64, luego a 96 e incluso a 112 capas antes de que los chips de 176 capas se convirtieran en la norma durante un periodo relativamente largo. Desde entonces, ha dependido del fabricante ir más lejos y más rápido. Micron, por ejemplo, ofrece actualmente 232 capas de NAND en sus chips de memoria flash para SSD y smartphones. SK Hynix ha conseguido ir aún más lejos al producir sus chips en 321 capas. La empresa hizo su presentación con una memoria de 1 Tb (128 GB) en 321 capas, que "puso por delante" de los chips de la generación anterior, 512 Gb (64 GB) de memoria en 238 capas .SK Hynix sigue hablando de memoria TLC ( célula de triple nivel ), pero señala que esta tecnología ofrece " una mejora del 59% en productividad ".
Aunque los componentes NAND -como otros semiconductores- se diseñan a partir de obleas, aumentar el número de capas de esta forma permite obviamente aumentar la densidad de estos componentes de almacenamiento para reducir los costes de producción. Estos costes son aún más críticos si se tiene en cuenta la explosión de las necesidades de capacidad de almacenamiento en los últimos meses para nuestros teléfonos inteligentes y unidades SSD. Y lo que es más importante, el mundo de la inteligencia artificial está demostrando ser especialmente ávido de capacidad NAND. Jungdal Choi, responsable de desarrollo de NAND en SK Hynix, afirma : "Con la oportuna introducción de NAND de alto rendimiento y gran capacidad, nos esforzaremos por satisfacer las demandas de la era de la IA y seguir liderando la innovación ".
