تستخدم في smarpthones بقدر ما في أجهزة USB أو محركات أقراص الحالة الصلبة ، تكتسب NAND في التعقيد.
تم تصميم NAND بواسطة Toshiba في عام 1989 ، وهو بطريقة ما إجابة أرخص لما يسمى بذاكرة فلاش NOR ، وهي في الأصل أكثر كفاءة ، ولكن قبل كل شيء أغلى ثمنا وقادرة على كثافة أقل. الكثافة هي بالضبط ما نتحدث عنه اليوم مع العرض التقديمي الذي تم تقديمه في قمة ذاكرة الفلاش 2023 في سانتا كلارا ، كاليفورنيا. تراجعت شركة SK Hynix الكورية الجنوبية بشكل فعال عن إعلانها في مارس عندما ادعت أنها أنتجت أول رقائق NAND المكونة من 321 طبقة.
© إس كيه هاينكس
اليوم ، لم يعد الأمر يتعلق بالوعود أو تأثير الإعلان ، بل بالعرض المناسب ل NAND المذكور. في الماضي ، كانت NAND عبارة عن ذاكرة فلاش تم العثور عليها في 32 طبقة على سبيل المثال. بسرعة ، ذهبنا إلى 64 ثم 96 وحتى 112 طبقة قبل أن تفرض الرقائق المكونة من 176 طبقة نفسها لفترة طويلة نسبيا. منذ ذلك الحين ، فإن الشركة المصنعة هي التي ستتمكن من المضي قدما وأسرع مع Micron ، على سبيل المثال ، والتي تقدم حاليا NAND في 232 طبقة على رقائق ذاكرة الفلاش الخاصة بها ل SSD أو الهاتف الذكي. لذلك تمكنت SK Hynix من وضع المؤشر أعلى قليلا من خلال إنتاج رقائقها في 321 طبقة. قدمت الشركة عرضها التقديمي بذاكرة 1 تيرابايت (128 جيجابايت) في 321 طبقة "وضعتها أمام" رقائق الجيل السابق ، وذاكرة 512 جيجابايت (64 جيجابايت) في 238 طبقة. بينما لا يزال هناك حديث عن ذاكرة TLC للخلية ثلاثية المستوى ، تقول SK Hynix أن هذه التقنية تسمح " بتحسين الإنتاجية بنسبة 59٪ ".
في حين أن مكونات NAND - مثل أشباه الموصلات الأخرى - مصنوعة من رقائق ، فإن زيادة عدد الطبقات يزيد بوضوح من كثافة مكونات التخزين هذه لتقليل تكاليف الإنتاج. هذه التكاليف أكثر أهمية حيث انفجرت احتياجات سعة التخزين في الأشهر الأخيرة على هواتفنا الذكية ومحركات أقراص الحالة الصلبة. والأهم من ذلك ، أن عالم الذكاء الاصطناعي متعطش بشكل خاص لقدرة NAND. وقال جونجدال تشوي ، رئيس تطوير NAND في SK Hynix: " مع تقديم NAND عالي الأداء والسعة في الوقت المناسب ، سنسعى جاهدين لتلبية متطلبات عصر الذكاء الاصطناعي والاستمرار في قيادة الابتكار ".
